西門子SIMODRIVE 611功率模塊1軸德國進口

說明：西門子SIMODRIVE 611功率模塊1軸德國進口

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***備件*** SIMODRIVE 611 功率模塊，1 軸，200A 內部散熱 電機額定電流： 進給 = 70A 主軸 = 85A 

參數：西門子SIMODRIVE 611功率模塊1軸德國進口

西門子簡介：

西門子(中國)有限公司成立于1994年10月06日，注冊地位于北京市朝陽區望京中環南路七號，法定代表人為赫爾曼(Lothar Herrmann)。經營范圍包括一、在電氣、電子、機械工業和國家允許外商投資的其他領域從事投資和與之相關的業務；二、從事電氣、電子和機械產品的制造經營活動；三、從事新產品及*研究與開發，轉讓或許可研究開發成果，提供相應的技術服務；提供與西門子電氣、電子和機械工業領域的產品（不包括消費類電子產品）的技術相關的咨詢、市場調研、培訓、工程及售后和維修服務，并進口售后和維修服務所需的原輔材料及零配件；四、以代理、經銷或設立出口采購機構的方式出口境內商品并按規定辦理出口退稅；五、受其所投資企業的書面委托（經董事會一致同意），向其提供下列服務：１、協助或代理進口所投資企業自用的機器設備、辦公設備、原材料、零部件；２、在國內外銷售所投資企業的產品并提供售后和維修服務；３、向其提供綜合服務，例如人事管理、培訓、財務、市場調查、咨詢和商情信息等；４、經中國銀行監管部門批準，向其提供財務支持；５、在外匯管理部門同意和監督下，在所投資企業間平衡外匯收支；６、向其提供倉儲等綜合服務；７、向其提供機器和辦公設備的經營性租賃服務；六、為下述企業提供技術培訓服務：１、所投資企業產品的國內經銷商、代理商；２、與公司或投資者或關聯公司簽有技術轉讓協議的國內公司、企業；七、購買所投資企業生產的產品進行系統集成后在國內外銷售，如所投資企業生產的產品不能*系統集成需要，可在國內外采購系統集成配套產品；八、在所投資企業投產前或所投資企業新產品投產前，為進行產品市場開發，從投資者進口與所投資企業生產產品相關的產品在國內試銷；九、為其投資者和關聯公司提供有償咨詢服務和技術支持；十、承接境內外企業的服務外包業務；十一、進口并在國內銷售其投資者和關聯公司的產品；十二、依法從事境外工程承包業務和對外投資；十三、設立經營性租賃和／或融資租賃公司并提供相關服務；十四、根據有關規定從事物流配送服務。十五、委托境內其他企業生產/加工產品并在國內外銷售，從事產品全部外銷的委托加工貿易業務；十六、從事商品批發、傭金代理（拍賣除外）、商品進出口和其它相關配套業務。十七、從事經營性租賃和融資租賃業務

功率模塊的封裝外形各式各樣，新的封裝形式日新月異，一般按管芯或芯片的組裝工藝及安裝固定方法的不同，主要分為壓接結構、焊接結構、直接敷銅DBC基板結構，所采用的封裝形式多為平面型以及，存在難以將功率芯片、控制芯片等多個不同工藝芯片平面型安裝在同一基板上的問題。為開發高性能的產品，以混合IC封裝技術為基礎的多芯片模塊MCM封裝成為目前主流發展趨勢，即重視工藝技術研究，更關注產品類型開發，不僅可將幾個各類芯片安裝在同一基板上，而且采用埋置、有源基板、疊層、嵌入式封裝，在三維空間內將多個不同工藝的芯片互連，構成完整功能的模塊。

　　壓接式結構延用平板型或螺栓型封裝的管芯壓接互連技術，點接觸靠內外部施加壓力實現，解決熱疲勞穩定性問題，可制作大電流、高集成度的功率模塊，但對管芯、壓塊、底板等零部件平整度要求很高，否則不僅將增大模塊的接觸熱阻，而且會損傷芯片，嚴重時芯片會撕裂，結構復雜、成本高、比較笨重，多用于晶閘管功率模塊。 焊接結構采用引線鍵合技術為主導的互連工藝，包括焊料凸點互連、金屬柱互連平行板方式、凹陷陣列互連、沉積金屬膜互連等技術，解決寄生參數、散熱、可靠性問題，目前已提出多種實用技術方案。例如，合理結構和電路設計二次組裝已封裝元器件構成模塊；或者功率電路采用芯片，控制、驅動電路采用已封裝器件，構成高性能模塊；多芯片組件構成功率智能模塊。 DBC基板結構便于將微電子控制芯片與高壓大電流執行芯片密封在同一模塊之中，可縮短或減少內部引線，具備更好的熱疲勞穩定性和很高的封裝集成度，DBC通道、整體引腳技術的應用有助于MCM的封裝，整體引腳無需額外進行引腳焊接，基板上有更大的有效面積、更高的載流能力，整體引腳可在基板的所有四邊實現，成為MCM功率半導體器件封裝的重要手段，并為模塊智能化創造了工藝條件。

　　MCM封裝解決兩種或多種不同工藝所生產的芯片安裝、大電流布線、電熱隔離等技術問題，對生產工藝和設備的要求很高。MCM外形有側向引腳封裝、向上引腳封裝、向下引腳封裝等方案。簡而言之，側向引腳封裝基本結構為DBC多層架構，DBC板帶有通道與整體引腳，可閥框架焊于其上，引線鍵合后，焊上金屬蓋完成封裝。向上引腳封裝基本結構也采用多層DBC，上層DBC邊緣留有開孔，引腳直接鍵合在下層DBC板上，可閥框架焊于其上，引線鍵合后，焊上金屬蓋完成封裝。向下引腳封裝為單層DBC結構，銅引腳通過DBC基板預留通孔，直接鍵合在上層導體銅箔的背面，可閥框架焊于其上，引線鍵合、焊上金屬蓋完成封裝。

　　綜觀功率模塊研發動態，早已突破初定義是將兩個或兩個以上的功率半導體芯片(各類晶閘管、整流二極管、功率復合晶體管、功率MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管等)，按一定電路互連，用彈性硅凝膠、環氧樹脂等保護材料密封在一個絕緣外殼內，并與導熱底板絕緣的概念，邁向將器件芯片與控制、驅動、過壓過流及過熱與欠壓保護等電路芯片相結合，密封在同*緣外殼內的智能化功率模塊時代。